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意法半導體(STNicroelectronics；ST)新型 HB 系列絕緣閘極雙載子性電晶體(IGBT)擁有比競爭對手的高頻產品低40%的關機能源(turn-off energy)，同時可降低至30%導通損耗。

　　HB 系列利用意法半導體的溝槽型絕緣閘極雙載子性電晶體制程，集極切斷無曳尾(collector-current turn-off tail-less)電流極低，飽和電壓(Vce(sat))為1.6V (典型值)，因而最大幅度降低了開關和導通時的能耗。此外，這項技術具有良好的可控性，參數分布窗口十分緊密，因而可提高設計再用性，簡化系統設計。

　　意法半導體的HB系列IGBT可提升目標應用的能效，例如太陽能轉換器、電磁爐、電焊機(welders)、不斷電系統(UPS)、功率因子校正器(PFC)和高頻功率轉換器。650V的寬額定工作電壓確保環境溫度在-40℃時崩潰電壓(breakdown voltage)至少600V，使其特別適用于寒冷地區的太陽能轉換器。 175℃的最大工作結溫和寬安全工作區(SOA)提高了產品的可靠性，讓目標應用使用更小的散熱器。

　　可選參數包括30A到80A(在100℃時)的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振(resonant)或硬式開關電路(hard-switching circuits)最佳化的內建二極體的封裝。