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　　G電子(LG Electronics)為了強化行動應用處理器(AP)業務，計劃挑戰16奈米制程，以提升該公司智慧手機的競爭力，并強化在半導體界的重要性，據傳16奈米晶片將在今年底或明年初交由臺積電(2330)試產。

　　韓媒etnews 1日報導，消息人士透露，LG電子繼28奈米的Odin晶片之后，再接再厲開發16奈米，預定今年底或明年初臺積電量產16奈米FinFET(鰭式場效電晶體)時，開始投入試產。LG電子先前研發的28奈米晶片，也由臺積電代工，將在第三季或今年底前用于LG智慧手機。

　　一般認為，LG電子完全仰賴高通(Qualcomm)供應AP，自行研發是為了分散供應鏈，并取得議價優勢。不過內情人士指出，LG電子推動AP業務，是為了中長期開發高階 AP晶片，將會持續提升獨立研發的AP性能；要是該公司一如預期順利量產16奈米AP，可望在韓國半導體業更有影響力。三星電子也研發AP，但是近年來三星高階智慧機越來越少采用三星自制AP。

　　韓國時報(Korea Times)6月22日報導，LG零件供應商表示，LG電子最近決定將旗下Odin行動應用處理器(AP)從7月延至10月量產，這款晶片僅支援full HD畫質。這名人士透露，Odin晶片原本計劃用于G3，但是G3提前推出，畫質高達quad HD(2k)，只好改用高通(Qualcomm)的Snapdragon 801晶片。

　　LG電子內部人士指出，Odin八核心晶片有過熱問題，這款晶片采用安謀(ARM)的big.LITTLE架構，以Cortex A15四核搭配低功耗的Cortax A7四核。他表示，LG必須提升Odin晶片效能，支援quad HD畫質，因為智慧機大廠爭相推出quad HD行動裝置。LG最近才并購了SiliconWorks，拓展晶片相關業務。