石墨烯作為電子產(chǎn)品的基體已經(jīng)引起了許多大公司的注意,例如IBM和三星,這主要是由于其電子遷移率-理論上高達(dá)200000cm2/Vs,而硅只有1400cm2/Vs,銻化銦有77000cm2/Vs,這意味著超高速的電子遷移方式。然而這個(gè)數(shù)字只是理論上的,現(xiàn)實(shí)中我們還有很長一段距離要走。但是這將可能使電子設(shè)備的速度提高將近1000倍,這是一個(gè)從千兆到太赫茲的跳躍,難怪人們對此非常期待。
石墨烯的“阿喀琉斯之踵”
“由于石墨烯沒有帶隙,因此在下一個(gè)十年內(nèi)石墨烯這種材料應(yīng)用于高性能集成邏輯電路的希望不大。”
換句話說,其開/關(guān)比不佳。開/關(guān)比是指裝置被接通和斷開時(shí)的導(dǎo)電性之間的差異。如果該比例太低,即便是已經(jīng)關(guān)閉了,晶體管還是會(huì)導(dǎo)通電子。具有大量晶體管的設(shè)備會(huì)因此而損失大量的能量,從而僅僅成為一個(gè)加熱器。這一點(diǎn)限制了石墨烯應(yīng)用于具有邏輯單元的裝置中。
然而,由于其在微電子方面成功后的潛在收益是如此之大,帶隙問題并沒有阻止世界大型電子公司研發(fā)石墨烯為基礎(chǔ)的電子設(shè)備,三星和IBM在這個(gè)領(lǐng)域則是非常活躍。
IBM vs 三星 孰強(qiáng)孰弱?
IBM的突破性思想是最后沉積石墨烯。相比于原位沉積,他們傾向于通過化學(xué)氣相沉積法在銅箔上生長石墨烯,然后將銅箔溶解,留下一層可由晶片“鏟起”的石墨烯。這似乎很難和通常用在半導(dǎo)體工業(yè)中的制造過程相關(guān)聯(lián),并有報(bào)道說這樣制備的石墨烯質(zhì)量差,而且處置銅箔的方式相當(dāng)浪費(fèi)和昂貴。
三星采用的不同的方式,即在硅晶片上生長高質(zhì)量的單晶石墨技術(shù),被稱為石墨烯研究歷史上最顯著的突破之一。和IBM公司的方法一樣,這種技術(shù)制備的石墨烯片可用于微電子。由于電阻偏高,制造可行的設(shè)備似乎有些遙遠(yuǎn),但是目前三星似乎更關(guān)心設(shè)備和屏幕的靈活性。
除了晶體管,石墨烯對電子的高傳導(dǎo)性可以被更廣泛地應(yīng)用于其他即集成電路中,例如作為導(dǎo)體,可以使CMOS電路更便宜,更高效。
硅烯是石墨烯的挑戰(zhàn)者嗎?
硅烯的另一個(gè)潛在優(yōu)勢就是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在過去60年對硅而不是碳已經(jīng)非常了解。至少在理論上,這應(yīng)該意味著所需要的工藝變化不那么激烈。雖然這一切看起來都很樂觀,但是和石墨烯相比,硅烯的生產(chǎn)和處理過程絕對是噩夢。
如果將硅烯置于兩維材料層之間以便保護(hù)它是可行的,但是這將需要開發(fā)新的生產(chǎn)工藝。其他新的二維材料,例如鍺也面臨相同的問題。
二維材料兩馬相爭 或者是一枝獨(dú)秀?
但上述所有的先決條件是,我們繼續(xù)以同樣的方式制造集成電路。該半導(dǎo)體路線圖是由早期晶體管的性能決定的,這意味著該行業(yè)不得不圍繞工程材料的局限性進(jìn)行。最可能的結(jié)果是,由于微電子產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)造力,石墨烯將不得不與硅共同相處。
但也有各種其它正在開發(fā)的納米技術(shù),范圍從自旋電子到有機(jī)晶體管等方面。因此“超越CMOS”是指的“以目前的CMOS技術(shù)為基礎(chǔ)來達(dá)到超越CMOS的目的。”
歷史告訴我們,科技并不是線性發(fā)展的,而且完全拋棄現(xiàn)有的CMOS將會(huì)是非常愚蠢的。到2025年,我們將有機(jī)會(huì)看到一些影響整個(gè)微電子產(chǎn)業(yè)的變化。
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