蜜桃一本色道久久综合亚洲精品冫|精品国产露脸对白8p|射丝袜av|成人一级片在线免费观看|亚洲欧洲日产国码av系列天堂

　　一、LTPS技術發展趨勢

　　自2010年蘋果發布iPhone4以來，消費者對于手機要求便已不再是簡單的通話及收發短信;取而代之以視頻、音樂，社交等創新應用不斷成為智能手機新的增長點。與此同時iPhone4最大的驚艷之處正是在于其較高的分辨率，為用戶帶來更好的應用體驗，也為智能手機實現視頻播放奠定基礎。現如今，隨著智能手機滲透率的不斷提升，手機面板的分辨率也隨之不斷提升，是否具備高分辨率以儼然成為用戶選購手機的重要標準之一。

　　數據顯示自2013年起，全球HD(1280x720)以上分辨率的智能手機占比不斷提升，至2015年這一占比已經超過半成，達到52.3%，出貨量為10.3億片。預計明年這一比重將繼續提升至61%，出貨量達12.5億片。

圖1：2013-2016手機面板出貨預估

　　PPI指單位尺寸內像素的個數，PPI越高單位尺寸內的像素個數就越多，相對來說屏幕能顯示的內容也就更豐富，因此業界把PPI作為衡量液晶顯示屏幕規格的重要參數之一。

　　低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon;簡稱LTPS)薄膜晶體管液晶顯示器是在封裝過程中，利用準分子激光作為熱源，激光經過投射系統后，會產生能量均勻分布的激光光束，投射于非晶硅結構的玻璃基板上，當非晶硅結構玻璃基板吸收準分子鐳射的能量后，會轉變成為多晶硅結構，因整個處理過程都是在600℃以下完成，故一般玻璃基板皆可適用LTPS技術。

　　LTPS具有高分辨率、反應速度快、高亮度、高開口率等優點，加上由于LTPS的硅結晶排列較a-Si有次序，使得電子移動率相對高100倍以上，可以將外圍驅動電路同時制作在玻璃基板上，達到系統整合的目標、節省空間及驅動IC的成本。

表1：尺寸，分辨率，PPI對應關系

　　高PPI手機面板需求的增加給面板廠帶來了機會，但同時也對面板廠提出了新的挑戰，尤其是TFT技術的挑戰，受a-Si制程的限制，面板廠很難用其生產350PPI以上的高分辨率屏。目前350PPI以上，面板廠商基本都會采用LTPS制程。因此可以想見，隨著智能手機PPI的不斷提升，LTPS面板的市場需求將呈現快速增長態勢。

　　隨著HD(1280x720)和FHD(1920x1080)規格手機面板出貨量的增加，加之中國面板廠積極推進LTPS產線進程，預計LTPS技術的液晶面板出貨比重將在未來幾年保持較高的增長速度，數據顯示2015年LTPS面板占所有技術面板出貨比重為35%，2016年這一比重將來到38%，2018年則將突破40%，達到42%。其成長勢頭將明顯優于另外兩種技術AMOLED和IGZO。

圖2：2015-2018年手機面板技術別占比趨勢

　　二、LTPS技術介紹及優勢

　　低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon;簡稱LTPS)薄膜晶體管液晶顯示器是在封裝過程中，利用準分子激光作為熱源，激光經過投射系統后，會產生能量均勻分布的激光光束，投射于非晶硅結構的玻璃基板上，當非晶硅結構玻璃基板吸收準分子鐳射的能量后，會轉變成為多晶硅結構，因整個處理過程都是在600℃以下完成，故一般玻璃基板皆可適用LTPS技術。

　　LTPS具有高分辨率、反應速度快、高亮度、高開口率等優點，加上由于LTPS的硅結晶排列較a-Si有次序，使得電子移動率相對高100倍以上，可以將外圍驅動電路同時制作在玻璃基板上，達到系統整合的目標、節省空間及驅動IC的成本。

　　同時，由于驅動IC線路直接制作于面板上，可以減少組件的對外接點，增加可靠度、維護更簡單、縮短組裝制程時間及降低EMI特性，進而減少應用系統設計時程及擴大設計自由度。

　　傳統的非晶硅材料(a-Si)的電子遷移率只有0.5cm2/Vs，而低溫多晶硅材料(LTPS)的電子遷移率可達50～200cm2/Vs，因此與傳統的非晶硅薄膜晶體管液晶液晶顯示器(a-Si TFT-LCD)相比，LTPS TFT-LCD具有更高分辨率、反應速度快、亮度高(開口率高)等優點，同時可以將周邊驅動電路同時制作在玻璃基板上，達到在玻璃上集成系統(SOG)的目標，所以能夠節省空間和成本。LTPS這些技術特性可以提升液晶面板的分辨率，輕松突破400PPI以上的分辨率，隨著智能手機廣泛普及，用戶對顯示要求不斷精進，對于分辨率的追求亦不斷提升，因此LTPS技術的發展越來越受重視，此外，LTPS還是發展AMOLED的最佳技術平臺

表2：a-Si/Oxide/LTPS技術優劣勢比較

　　LTPS的主要優勢在于其電子遷移率高，可以達到更高分辨率，同時由于更高的開口率，在LED背光亮度維持一定的情況下，可進一步地提高面板整體亮度并達到更省電的效果。除了電子遷移率高，在穩定性方面，LTPS面板同樣具有出色的表現，相比a-Si和Oxide，LTPS具有最佳的電子穩定性。

　　在光罩數目方面，a-Si與Oxide面板需要約4～6導光罩制程，而LTPS面板則需要更多道光罩，約9～11道光罩制程，制程復雜度較高。因此在成本方面，a-Si最低，Oxide面板由于可與部份a-Si面板設備共享，成本次之，LTPS面板則最為昂貴。在制程溫度方面，Oxide面板制程溫度約在180～350℃，與a-Si面板制程溫度接近，而LTPS面板制程溫度則需要更高到250～400℃。

　　在良率方面，由于a-Si面板制程已很成熟，因此良率較高，而LTPS面板良率則相對較低。