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　　半導(dǎo)體業(yè)終于迎來(lái)支出旺季！據(jù)海外媒體報(bào)道，在臺(tái)積電、三星電子與英特爾三巨頭的帶動(dòng)下，今(2016)年下半年半導(dǎo)體業(yè)的資本支出有望較上半年跳增2成，2016年全球半導(dǎo)體資本支出將達(dá)671億美元，較2015年的648億美元增長(zhǎng)3%。

　　科技市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights 3日發(fā)表研究報(bào)告指出，今(2016)年全球半導(dǎo)體的資本支出雖然僅會(huì)年增3%、優(yōu)于去年的2%年減率，但由于臺(tái)積電、三星與英特爾都集中在下半年投資，因此下半年的資本支出總額有望較上半年跳增20%，而三巨頭的支出成長(zhǎng)率更將高達(dá)90%。相較之下，其他半導(dǎo)體業(yè)者下半年的資本支出卻將比上半年萎縮16%。

　　整體來(lái)看，臺(tái)積電、三星與英特爾合計(jì)占整體半導(dǎo)體業(yè)支出額的45%，其中臺(tái)積電上半年的支出只有34億美元、下半年估計(jì)得支出66億美元才能完成100億美元的全年預(yù)算目標(biāo)，等于是成長(zhǎng)92%。

　　三星上半年的資本支出也只達(dá)34億美元，占今年總預(yù)算(110億美元)的31%，估計(jì)下半年會(huì)比上半年跳增120%。英特爾上半年則僅支出36億美元，估計(jì)下半年還要再花59億美元，以達(dá)成95億美元的全年度預(yù)算目標(biāo)，等于下半年的支出比上半年高61%。

　　下表為IC Insights預(yù)測(cè)的今年下半年半導(dǎo)體巨頭的資本支出狀況：

　　臺(tái)積電三大投資重點(diǎn)

　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究所認(rèn)為，在上述半導(dǎo)體三巨頭中臺(tái)積電是唯一的純晶圓代工廠，與客戶無(wú)直接競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，可專注于制程技術(shù)的開發(fā)。2016年臺(tái)積電資本支出約70%用于先進(jìn)制程的開發(fā)，其中大部分用在10納米制程技術(shù)，可見臺(tái)積電對(duì)10納米制程研發(fā)的重視。

　　臺(tái)積電資本支出的10%則將持續(xù)投入InFO技術(shù)的開發(fā)；InFO技術(shù)有散熱佳、厚度和面積縮小、成品穩(wěn)定度高的優(yōu)勢(shì)，已有少數(shù)大客戶開始投單，預(yù)期未來(lái)將有更多客戶陸續(xù)投入。為了就近服務(wù)廣大的中國(guó)市場(chǎng)，臺(tái)積電規(guī)劃30億美元用于中國(guó)南京12吋廠的建置，預(yù)期在2018年投產(chǎn)。今年南京廠計(jì)劃先投入5億美元，2017與2018年將增加投資力道。

　　三星以半導(dǎo)體事業(yè)為重心

　　智能手機(jī)是三星最重要的業(yè)務(wù)，在終端市場(chǎng)需求趨緩、手機(jī)差異化縮小的情況下，三星受到蘋果(Apple)與中國(guó)品牌的激烈競(jìng)爭(zhēng)。根據(jù)三星財(cái)報(bào)顯示，2015年?duì)I收年衰退2.6%，凈利下滑20.6%。相較智能手機(jī)，去年三星半導(dǎo)體營(yíng)收年成長(zhǎng)20%、存儲(chǔ)器年成長(zhǎng)17%，LSI業(yè)務(wù)年成長(zhǎng)則約27.7%，表現(xiàn)十分亮眼。

　　拓墣指出，2016年三星的智能手機(jī)業(yè)務(wù)拓展仍不樂(lè)觀，除加速開發(fā)創(chuàng)新業(yè)務(wù)，將更加重視晶圓代工業(yè)務(wù)，采取積極搶單的策略。2016年三星115億美元的資本支出中，LSI業(yè)務(wù)會(huì)維持與2015年35億美元的相同水準(zhǔn)。

　　英特爾擴(kuò)展存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)務(wù)

　　英特爾雖然在14/16納米制程技術(shù)開發(fā)上領(lǐng)先，但臺(tái)積電與三星若在10納米的技術(shù)上趕超，將使英特爾在CPU產(chǎn)品上面臨強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)壓力，嚴(yán)重挑戰(zhàn)英特爾自1995年來(lái)的領(lǐng)先地位。2016年英特爾將持續(xù)擴(kuò)大資本支出以維持制程領(lǐng)先，相關(guān)資本支出約達(dá)80億美元。

　　在數(shù)據(jù)中心的競(jìng)爭(zhēng)中，2015年英特爾與美光(Micron)聯(lián)合發(fā)表包含3D-NAND與Xpoint等用于存儲(chǔ)器的技術(shù)，此外更宣布投資25億美元把大連廠打造成存儲(chǔ)器制造廠。估計(jì)2016年英特爾的資本支出中約有15億美元將投資在存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)務(wù)。