硅基氮化鎵在大功率LED的研發及產業化
摘要：日前，在廣州舉行的2013年 LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵 大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發及產業化和大尺寸硅襯底LED技術的最新進展
閱讀：13562014年06月25日 14:53:00
摘要：日前，在廣州舉行的2013年 LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵 大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發及產業化和大尺寸硅襯底LED技術的最新進展
閱讀：13562014年06月25日 14:53:00摘要：1.正向電壓下降，暗光 A:一種是電極與發光資料為歐姆觸摸，但觸摸電阻大，首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。 B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸，首要發生在芯片電極制備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾印，散布方位。 別的封裝進程中也能夠形成正
閱讀：15302014年06月25日 14:53:00摘要：1. LED芯片檢驗 鏡檢：材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整 2. LED擴片 由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(約0.1mm)，不利于后工序的操作。采用擴片機對黏結芯片的膜進行擴張，使LED芯片的
閱讀：14452014年06月25日 14:53:01摘要：LED 板上芯片(Chip On Board,COB)封裝流程 首先是正在基底表面用導熱環氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環氧樹脂)覆蓋硅片安放點， 然后將硅片 間接安放正在基底表面， 熱處理至硅片牢固地固定正在基底為行， 隨后再用絲焊的方法正在硅片和基底之間間接建立電氣連接
閱讀：18172014年06月25日 14:53:01摘要：一、 研磨首部曲——上蠟 LED芯片研磨制程的首要動作即“上臘”，這與硅芯片的CMP化學研磨的貼膠意義相同。將芯片固定在鐵制(Lapping制程)或陶瓷(Grounding制程)圓盤上。先將固態蠟均勻的涂抹在加熱約90~110℃的圓盤上，再將芯片正面置放貼附于圓盤，經過加
閱讀：14612014年06月25日 14:53:01摘要：要想得到 大功率LED器件，就必須制備合適的大功率 LED芯片。國際上通常的制造大功率 LED芯片的方法有如下幾種： ①大尺寸法。通過增大單體LED的有效發光面積和尺寸，促使流經TCL層的電流均勻分布，以達到預期的光通量。但是，簡單地增大發光面積無法解決散熱
閱讀：12932014年06月25日 14:53:01摘要：藍寶石由于具有與GaN大體匹配的晶格，以及與同質襯底相比的成本效益，是 LED開盒即用晶片的卓越材料。在諸如商業和住宅 照明等應用不斷增加的需求推動下，為了滿足今后數年里預期的市場增長，LED市場將需要越來越多的低成本LED級藍寶石。藍寶石的高熔點導致
閱讀：13302014年06月25日 14:53:02摘要：藍寶石晶片目前廣泛用作III-V族 LED器件氮化物外延薄膜的襯底，然而由于氮化物和藍寶石大的晶格失配和熱膨脹系數的差別，使得在襯底上生長的氮化物材料位錯和缺陷密度較大，影響了器件的發光效率和壽命。圖形化襯底(PSS)技術可以有效地減少外延材料的位錯和
閱讀：33182014年06月25日 14:53:02摘要：LED封裝是將外引線連接到 LED芯片的電極上，以便于與其他器件連接。它不僅將用導線將芯片上的電極連接到封裝外殼上實現芯片與外部電路的連接，而且將芯片固定和密封起來，以保護芯片電路不受水、空氣等物質的侵蝕而造成電氣性能降低。另外，封裝還可以提高 L
閱讀：14032014年06月25日 14:53:04
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