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　　佳能的半導體設備，包括家喻戶曉的OLED蒸鍍設備外，還有半導體濺射、光刻機等等核心設備。其中，Canon Tokki幾乎壟斷了OLED蒸鍍設備，其光刻機的市占率約為5%左右，濺射設備市占率很小。

　　一. Canon Tokki有機EL Display制造設備 - OLED蒸鍍設備

　　1. 公司介紹

　　佳能特機株式會社成立于1967年，主要經(jīng)營真空技術應用設備的開發(fā)、設計、制造和銷售。其在中國大陸、中國臺灣和韓國均設有銷售支援和售后服務。

　　2. 有機EL制造設備

　　OLED工藝流程分兩種：

　　1）玻璃；

　　2）柔性，柔性多了Varnish形成步驟。

　　首先，在基板上形成Varnish和TFT薄膜，然后形成有機和金屬層薄膜，最后進行封裝。封裝之后進行Varnish層的剝離。從前處理到金屬膜形成是佳能特機蒸鍍工藝部分，除蒸鍍外還包括印刷部分，但還未實現(xiàn)量產(chǎn)。

Cluster型有機EL量產(chǎn)設備：

　　主要應用于生產(chǎn)手機的面板；

　　設備中間有機械手，周圍有各種處理室，機械手搬運機板到處理室，按照指定的順序進行蒸鍍；

　　對應基板尺寸：G2~G6H;

　　生產(chǎn)節(jié)拍：<120sec。

　　Inline型有機EL量產(chǎn)設備:

　　主要應用于生產(chǎn)電視面板；

　　特點：移動性成膜；

　　對應基板尺寸：G2~G8H;

　　生產(chǎn)節(jié)拍：<120sec.

　　3. 設備的Line up

　　4. 核心技術

　　最大的優(yōu)勢為RGB Mask對位，其在真空狀態(tài)下進行對位。

　　二. 高品質(zhì)大型面板曝光設備 - FPD設備

　　1. Display發(fā)展趨勢：

　　1）以智能機為代表的高精化；

　　2）TV面板的大型化。

　　2. 為了應對智能機和TV面板的快速發(fā)展，佳能推出了強有力的解決方案 - FPD用MPA系列的曝光機。

　　MPA搭載了獨立的鏡面系統(tǒng)，可兼顧解像力、Overlay和生產(chǎn)性三大指標。

　　3. 性能特性。

　　1）在G8之前的設備（H803）最多只能曝光55“的面板，在進行65”曝光時不得不應用拼接式曝光。由于現(xiàn)在曝光面積拓展，所以還能兼顧2.0um的解像力。目前，只有佳能一家能做！！

　　2）Overlay精度提高。

　　之前設備只能進行線性補正，現(xiàn)在搭載了新倍率補正機構后，可應對各式各樣的非線性補正。精度提高10%。

　　3）大型Panel MMG對應。

　　采用MPA Dual Line構成，在兩臺機器上分別曝光三個65“和兩個55”面板，減少換MASK時間來提高產(chǎn)能。

　　三. Canon半導體曝光設備 - 半導體設備

　　1. 半導體設備的銷售市場在快速增長，其中以AI、自動駕駛系統(tǒng)和5G通訊為發(fā)展基礎。

　　2. 佳能的半導體設備主要分為三大類：i-Line, KrF和NIL。其中，i-Line 系列覆蓋最廣。

　　四. Canon Anelva濺鍍設備&真空部件 - 半導體設備

　　佳能安內(nèi)化以真空技術為基礎開發(fā)的半導體設備廣泛應用于半導體的前道鍍膜和后道封裝工藝等。

　　1. 設備

　　1）FC7100

　　采用特殊斜角建設，解決了平板建設技術不能解決的超薄膜工藝及對基板表面的損傷課題。

　　可同時搭載兩種不同材料的靶材。

　　廣泛應用于CMOS、ReRAM和Metal Gate的工藝中.

　　2) IC1060I1060是200mm時代的主要機型，為應對半導體時代對200mm一下的需求，再次推出IC1060設備。該設備可應對多種產(chǎn)品的前道鍍膜和后道封裝工藝。

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　　3）EL35系列 此系列是佳能安內(nèi)化首次向中國客戶推出的液晶面板生產(chǎn)中所需的MASK和MASK Blanks的設備。此系列可為中國面板廠商提供關鍵的建設技術，可對應最大的10.5面板。

4）NC7900,NC8000

　　MRAM以磁場的方向來記憶信息，維持記憶不需要持續(xù)的電力支持，因此MRAM是解決手機等便攜式設備所必須的新型Memory。所以，佳能安內(nèi)化率先開發(fā)和推出了MRAM中MTJ構造的成膜和刻蝕設備。

　　以下是MTJ的一般構造，特點是由多種材料的超薄膜組成。各種材料薄厚的稍微變化會影響成品的最終性能。各生產(chǎn)廠家仍在摸索最佳生產(chǎn)工藝。佳能安內(nèi)化已有20多年開發(fā)經(jīng)營，其開發(fā)的NC7900擁有對各種材料所必須的納米級薄厚控制技術。NC8000采用RIE和IBE方式，可避免刻蝕工藝對側壁的損傷。