日本爾必達存儲器代表董事社長兼CEO坂本幸雄在2011年1月24日《日經電子》舉辦的“世界半導體峰會＠東京2011～半導體產業，成長宣言～”上登臺發表演講，介紹了該公司的業務戰略。坂本在演講中表示：“將與微處理器和閃存廠商等逐步構建垂直型合作模式來取代傳統的水平分工模式。先行完成團隊建設的DRAM廠商將占據優勢”。對于部分媒體報道的將與某臺灣DRAM廠商的經營合并，坂本表示“還要再等一段時間才能透露”。
坂本所說的垂直合作模式是指在DRAM與微處理器、閃存等相結合的解決方案產品方面進行合作。例如，該公司于2010年7月決定接受美國飛索半導體（Spansion）的NAND閃存技術授權，將于2011年1～3月開始量產相關存儲器。除此之外，爾必達還在探索與邏輯LSI廠商的合作。合作的基礎技術是使用貫通電極連接種類各異的多個芯片的硅通孔（TSV）。爾必達一直致力于TSV的開發，“2011年2～3月將開始供應（采用TSV的）產品”（坂本）。
爾必達之所以與重視TSV或以該技術為核心的其他公司的合作，是因為DRAM正在接近微細化的極限。爾必達的看法是：“在使用EUV曝光的技術時代，是否還能維持通過微細化降低DRAM成本還存在相當大的疑問。另一方面，相變存儲器（PRAM）和可變電阻式存儲器（ReRAM）等新型存儲器上市還為時尚早。因此，作為連接兩者的技術，目前還要依靠TSV”。
除以上舉措外，爾必達同時還在為追求DRAM市場上的規模與其他同行業公司合作。在DRAM生產方面，該公司此前與臺灣的力晶半導體（Powerchip Semiconductor，PSC）和茂德科技（ProMOS Technologies）以及臺灣華邦電子（Winbond Electronics）建立起了合作關系。爾必達似乎正在與這些臺灣DRAM廠商就包括經營合并在內的深入合作進行探討。“如果臺灣團隊能夠統一協作，我們就能把1Gbit產品的生產能力提高到現在的2.5倍。從穩定DRAM價格的角度來看，我們希望與他們一同形成對抗韓國三星電子的勢力”（坂本）。
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