日本大阪大學產業科學研究所教授竹谷純一的研發小組，利用可形成圖案的涂布工藝，制作出了載流子遷移率為5～12cm2/Vs的有機半導體晶體管（OFET）。載流子遷移率較高，超過了顯示器像素TFT中廣泛使用的非晶硅。據大阪大學介紹，可以通過印刷技術，簡單且低成本制作高性能像素TFT等。
竹谷的研發小組早在2007年就采用有機半導體材料紅熒烯（Rubrene），制作出了載流子遷移率超過20cm2/Vs的OFET，在有機半導體開發領域處于世界前列。不過，當時的制造工藝采用了基于200℃以上真空技術的蒸著法。
此次開發出了名為“Gap Cast法”的涂布工藝，解決了原來的課題。該方法是一種有機半導體油墨滴落時會流入楔狀縫隙中，從而統一結晶生長方向的技術。油墨會在5～10分鐘內干枯，顯示出較高的結晶性。干燥溫度約為100℃，還可用于塑料基板中。有機半導體體材料采用了廣島大學教授瀧宮和男的研發小組開發的“C10-DNTT”（圖1）。據悉，可以制成通道長度為50μm左右的OFET。
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圖1：結晶生長方向因“傾斜”而變得整齊
圖中顯示的是大阪大學竹谷研發小組試制的有機半導體晶體管的半導體材料（a）、印刷方法（b）以及傳導特性（c）。據大阪大學介紹，如果使印模底面傾斜的話，溶劑變干時結晶生長方向就會變得整齊，載流子遷移率會得到提高。印模中采用了作為光刻膠材料的環氧類樹脂“SU-8”。
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另外，竹谷等人還將Gap Cast法用于印模（Stamp）印刷技術中，以較高的位置精度一次性地成功制作出了晶體管陣列。據竹谷介紹，可通過該項技術制作出5×5等的晶體管陣列，并獲得了平均為5cm2/Vs的載流子遷移率。
此前，涂布工藝中存在的課題是有機半導體結晶性的提高。竹谷表示，“采用噴墨法的話，結晶生長方向會出現分散”。因此，竹谷等人于2009年開發出了“Edge Cast法”：使有機半導體油墨按一定傾斜角度單向流到基板上并干燥。竹谷等人進一步發展了該方法，從而可以制作出高性能的OFET，這就是此次的Gap Cast法。
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