東芝宣布其開發出了“全球首款”（該公司）采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度（2011年7～9月）開始量產。此次開發的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產品，還計劃推出3bit/單元產品和1bit/單元產品。不過，這些產品的上市時間目前“尚未確定”（東芝）。
近年來，隨著智能手機市場的迅速擴大、平板終端的亮相、以及SSD的普及等，針對NAND的大容量化和高速化的要求越來越強烈。為了滿足這種要求，東芝推出了組合使用19nm工藝和2bit/單元技術的64Gbit NAND。工藝由原來的24nm微細化至此次的19nm，由此縮小了芯片面積，而且可在嵌入智能手機和平板終端時使用的小型封裝內最多層疊16層（參閱本站報道）。為了滿足高速化要求，東芝采用了最大可實現400Mbit/秒高速數據傳輸的接口標準“Toggle DDR 2.0”
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